[发明专利]微纳真空电子器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202210374846.6 | 申请日： | 2022-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN116936318A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 罗志鹏;吴懿鑫 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01J19/02 | 分类号： | H01J19/02;H01J19/32;H01J19/42;H01J9/02 |
| 代理公司： | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人： | 姚宝然 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请涉及一种微纳真空电子器件及其制备方法，包括依次层叠设置的基底层、支撑层和电极层，电极层包括相对设置的第一电极和第二电极，第一电极的发射端和第二电极的接收端之间形成纳米级的电极狭缝，第一电极的发射端、第二电极的接收端和基底层之间形成中空区域。纳米级的电极狭缝，能够显著降低工作时施加的电压，且在电子传导过程中不易发生散射，能够提高电子的传导效率，提高微纳真空电子器件的通断控制效率，第一电极的发射端、第二电极的接收端悬置于基底层的上方，形成悬空结构，能够避免电子向基底层中传导，降低漏电流的产生，进一步提高电子的传导效率，使微纳真空电子器件的性能稳定性提高，且结构简单、容易制造、成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 真空 电子器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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