[发明专利]模拟辐照对碳化硅裂纹扩展过程影响的方法在审
| 申请号： | 202210374979.3 | 申请日： | 2022-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN116929917A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 李盈盈;涂睿;孔淑妍;严帅;边卓伟;鲁仰辉;白亚奎;孙晨;曹鑫源 | 申请（专利权）人： | 国家电投集团科学技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | G01N3/08 | 分类号： | G01N3/08 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 单冠飞 |
| 地址： | 102209 北京市昌平区未来科技城国*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请提出一种模拟辐照对碳化硅裂纹扩展过程影响的方法，包括对碳化硅超晶胞进行NPT弛豫；随机选取Si原子为初级离位原子，给予其10keV的动能，让其与周围原子发生碰撞，被碰撞原子继续与周围原子发生级联碰撞过程；重复300次级联碰撞过程，形成级联叠加后的辐照结构；设计两种裂纹形式，对于每种裂纹首先对体系进行NPT的驰豫，随后在垂直与裂纹所在的平面方向施加单轴拉伸的应变。采用基于分子动力学方法的LAMMPS软件模拟了辐照对碳化硅裂纹扩展过程的影响，发现碳化硅受到辐照后其断裂形式仍为脆性断裂。 | ||
| 搜索关键词： | 模拟 辐照 碳化硅 裂纹 扩展 过程 影响 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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