[发明专利]半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 202210375678.2 | 申请日： | 2022-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN116936466A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 段超;张浩;郭雯;许增升;王晓娟 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 朱得菊;徐文欣 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底内具有第一金属层，所述衬底表面暴露出所述第一金属层表面；在衬底上形成第一介质层，所述第一介质层内具有开口，所述开口暴露出所述第一金属层顶部表面；对所述第一金属层表面进行清洁处理；对所述第一金属层表面进行清洁处理之后，对所述第一金属层表面进行浸润处理；对所述第一金属层表面进行浸润处理之后，采用选择性沉积工艺在所述开口内形成第二金属层。所述方法形成的半导体结构性能得到改善。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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