[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202210375691.8 | 申请日： | 2022-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN116936364A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 李付军 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/08;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张瑞;徐文欣 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供衬底，衬底上具有鳍部；在衬底上形成栅极结构；在栅极结构两侧的鳍部内形成源漏开口，源漏开口包括中心区和位于中心区周围的边缘区；在中心区的底部表面形成阻挡层；在阻挡层暴露出的鳍部内形成初始掺杂区；去除阻挡层；在源漏开口内形成源漏掺杂层。通过在中心区的底部形成阻挡层；在阻挡层暴露出的鳍部内形成初始掺杂区。利用阻挡层能够有效减少初始掺杂区形成在中心区底部表面暴露出的鳍部内，进而在形成源漏掺杂层过程中，能够减少初始掺杂区向鳍部的底部进行扩散，以改善短沟道效应。同时利用阻挡层能够保证初始掺杂区形成在边缘区与沟道之间的鳍部内，进而降低电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
