[发明专利]一种半导体晶圆制造晶体管栅极硅氧化层失效的综合分析方法在审
| 申请号： | 202210376567.3 | 申请日： | 2022-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN114460432A | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 华佑南;刘兵海;朱雷;李晓旻 | 申请（专利权）人： | 胜科纳米（苏州）股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01R31/265;G01N21/95;G01N23/2251;G01N27/62;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 刘二艳 |
| 地址： | 215124 江苏省苏州市中国(江苏)自由贸易试验区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体晶圆制造晶体管栅极硅氧化层失效的综合分析方法，所述综合分析方法包括：（Ⅰ）采用电测量分析方法对存在栅极硅氧化层失效的样品进行失效定位；（Ⅱ）采用化学分析方法对样品进行失效机理模型判断，判断确定栅极硅氧化层的失效原因是杂质污染，还是等离子体诱导损伤；（Ⅲ）如果失效机理模型是杂质污染，则采用飞行时间二次离子质谱对有栅极硅氧化层失效的样品进行污染元素定性探查；随后通过动态二次离子质谱对探查到的的污染元素进行精准定量测量。本发明采用更多的分析技术、仪器和方法联合应用于失效分析，能够快速准确地确定晶体管栅极硅氧化层的失效机理和模型，以便失效分析工程师提供更精准的分析报告。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 制造 晶体管 栅极 氧化 失效 综合分析 方法 | ||
【主权项】：
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