[发明专利]低功耗的多次可编程非易失性存储单元及其存储器在审
| 申请号： | 202210376684.X | 申请日： | 2022-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN116935926A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 宁丹;王宇龙 | 申请（专利权）人： | 成都锐成芯微科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/24 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610041 四川省成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及多次可编程非易失性存储单元及其存储单元组和存储器，所述存储单元包含：一个深N阱，第一P阱、第二P阱、和第三P阱/或第一N阱，这些阱相互平行地位于所述深N阱中，控制电容和隧穿电容分别位于第一和第二P阱中，各自包含一个或两个位于所在P阱中的N型耦合区；一个浮栅晶体管位于第三P阱/或第一N阱中，该浮栅晶体管包含多晶硅浮栅及其下方的栅氧化物；所述浮栅晶体管的浮栅及其栅氧化物，沿垂直于上述P阱的平行方向，延伸至覆盖第一和第二P阱中的控制电容和隧穿电容，分别形成控制电容和隧穿电容的上极板和栅氧化物。所述存储单元的编程和擦除操作，均通过富勒‑诺德海姆隧穿进行，可以大幅度降低功耗，而且擦除效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 功耗 多次 可编程 非易失性 存储 单元 及其 存储器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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