[发明专利]半导体元件及其制作方法在审
| 申请号： | 202210377055.9 | 申请日： | 2022-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN116936629A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 陈志濠;沈依如 | 申请（专利权）人： | 嘉和半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 孙皓晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中半导体元件包含基板、半导体叠层、绝缘结构以及电极。半导体叠层设置于基板之上，且包含二维电子气区域。绝缘结构设置于半导体叠层之上，且包含第一绝缘层和第二绝缘层。第一绝缘层包含第一开口，第一开口暴露出第一绝缘层的第一内侧壁。第二绝缘层设置于第一绝缘层之上，且覆盖住第一绝缘层的第一内侧壁。第二绝缘层包含第二开口，位于第一开口内且暴露出第二绝缘层的第二内侧壁。第二绝缘层包含阶梯轮廓，且阶梯轮廓的梯缘重合第二内侧壁。电极设置于绝缘结构之上，且位于第二开口内。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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