[发明专利]半导体器件、半导体单元结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202210378192.4 | 申请日： | 2022-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN114883297A | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 彭士玮;林威呈;曾健庭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L27/118 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 王素琴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供半导体器件、半导体单元结构及其形成方法。阐述用于在半导体器件中对数据信号进行背侧路由的装置及方法。在一个实例中，所阐述的半导体单元结构包括：虚设器件区，位于半导体单元结构的前侧处；金属层，包括位于半导体单元结构的背侧处的多条金属线；介电层，形成在虚设器件区与金属层之间；内部金属，设置在介电层内；至少一个第一通孔，被形成为穿过介电层且将内部金属电连接到背侧处的所述多条金属线；以及至少一个第二通孔，形成在介电层中且在实体上耦合在内部金属与前侧处的虚设器件区之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 半导体 单元 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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