[发明专利]一种忆阻器及其制备方法在审
| 申请号： | 202210382470.3 | 申请日： | 2022-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN114709331A | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 张浩;邵卫晶;童祎;王新朋 | 申请（专利权）人： | 新微比特纳米科技(苏州)有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 苏州创智慧成知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32419 | 代理人： | 付伟 |
| 地址： | 215000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种忆阻器及其制备方法。忆阻器的阻变介质层由二氧化钛与稀土氧化物形成，使忆阻器件至少具有四种稳定阻态，甚至可以引入更多阻态，克服了基于单一材料的忆阻器件中存在的阻态不稳定，鲁棒性差等问题。且具有稳定性更好，漏电流更低的特点。同时，本发明提出的制备方法赋予了二氧化钛介质更高的氧空位浓度，导电细丝更容易形成，器件表现出更快的开关速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 忆阻器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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