[发明专利]一种高耐压增强型的双异质结栅极HEMT及其制备方法在审
| 申请号： | 202210382860.0 | 申请日： | 2022-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN114744039A | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 尹以安;李佳霖 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/80;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京清控智云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11919 | 代理人： | 仵乐娟 |
| 地址： | 510631 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高耐压增强型的双异质结栅极HEMT及其制备方法，其包括依次层叠于衬底上的成核层、缓冲层、p型埋层、沟道层、插入层和势垒层，势垒层上设置有双异质结栅极、源极和漏极，其中双异质结栅极由PNP双异质结帽层和位于双异质结帽层上的栅极金属层组成。该器件中双异质结栅极与势垒层接触能够耗尽沟道的二维电子气，使得器件阈值电压提高，且在器件想达到导通状态时，PNP型双异质结作为两个面对面的二极管，这两个二极管会消耗一定的压降，使得达到沟道层的电压减小，进而使得器件的阈值电压进一步提高，且PNP型双异质结能够防止电子从栅极进入沟道层，从而减小了栅极泄漏电流，提高器件的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 耐压 增强 双异质结 栅极 hemt 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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