[发明专利]通过增加共格孪晶界比例提高纯铜晶界腐蚀抗力的方法有效
| 申请号： | 202210382943.X | 申请日： | 2022-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN114686789B | 公开（公告）日： | 2023-09-01 |
| 发明（设计）人： | 王卫国;任帅;陈松;王宗谱;冯小铮 | 申请（专利权）人： | 福建工程学院 |
| 主分类号： | C22F1/08 | 分类号： | C22F1/08 |
| 代理公司： | 北京东方盛凡知识产权代理有限公司 11562 | 代理人： | 向离山 |
| 地址： | 350000 福建省福州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明属于电池领域，公开了通过增加共格孪晶界比例提高纯铜晶界腐蚀抗力的方法，包括以下步骤：对纯铜进行反复室温多向锻造，然后600℃再结晶退火10min，使其达到组织均匀化；将组织均匀化的纯铜进行小变形冷轧，轧制变形量为5%，然后在650℃下真空退火5~15 min。本发明通将纯铜经过小变形高温短时间退火得到初次再结晶组织，初次再结晶组织的晶界特征分布虽然已经具有一定比例的∑3特殊晶界，但是其中共格孪晶界的比例不高，存在相当数量的非共格孪晶界，本发明在初次再结晶的基础上延长退火时间，进一步让晶粒有所长大，结果表明，随着晶粒的长大，共格孪晶界的比例在单调增加，最终超过50%，极大的提高了纯铜的晶界腐蚀抗力。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 增加 共格孪晶界 比例 提高 纯铜晶界 腐蚀 抗力 方法 | ||
【主权项】：
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