[发明专利]存储器件以及操作存储器件的方法在审
| 申请号： | 202210383518.2 | 申请日： | 2022-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN115223641A | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 金大植 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;G11C8/14;G11C8/10;G11C7/18;G11C5/14 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 李娜;赵莎 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 提供了存储器件以及操作存储器件的方法。所述存储器件包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括第一存储单元区域和第二存储单元区域；电压发生器，所述电压发生器被配置为产生对应于写入电压的代码；以及写入驱动器，所述写入驱动器被配置为响应于所述代码而将数据存储在所述第一存储单元区域中。所述第二存储单元区域存储限定所述写入电压的值，并且所述写入电压是关于区分所述存储单元阵列中的存储单元的平行状态和反平行状态的参考电阻被确定的，并且还是关于施加到所述存储单元中的至少一个存储单元的磁隧道结元件的初始写入电压被确定的。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 以及 操作 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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