[发明专利]基于变占空比高阶光栅的半导体激光列阵及其制备方法在审
| 申请号： | 202210383703.1 | 申请日： | 2022-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN114792934A | 公开（公告）日： | 2022-07-26 |
| 发明（设计）人： | 贾鹏;宋悦;梁磊;陈泳屹;秦莉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22;H01S5/40 |
| 代理公司： | 长春中科长光知识产权代理事务所(普通合伙) 22218 | 代理人： | 郭婷 |
| 地址： | 130033 吉林省长春*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供的基于变占空比高阶光栅的波长稳定半导体激光列阵，通过采用基于变占空比高阶光栅作为列阵光波的波长选择元件，在大电流工作状态下提供中心波长与固态激光晶体的吸收光谱基本一致的反射光谱，实现具有温差的列阵单元的纵向模式选择和线宽压缩，同时利用脊形波导列阵增益放大窄线宽激光，实现高功率的窄线宽激光。实现激光列阵的输出激光光谱的整体线宽小于1nm，并且其中心波长与固态激光晶体的吸收光谱峰值基本重合的高功率、窄线宽激光，有效提高泵浦激光列阵与固态激光晶体的光‑光耦合效率。本发明实施例还提供了一种基于变占空比高阶光栅的波长稳定半导体激光列阵的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 变占空 比高 光栅 半导体 激光 列阵 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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