[发明专利]铁电掺杂正反馈场效应晶体管器件及制备方法在审
| 申请号： | 202210385996.7 | 申请日： | 2022-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN114927572A | 公开（公告）日： | 2022-08-19 |
| 发明（设计）人： | 刘艳;姚育鹏;周久人;张洪瑞;补钰煜;韩根全;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学杭州研究院 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人： | 段俊涛 |
| 地址： | 311215 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种铁电掺杂正反馈场效应晶体管器件，包括衬底、埋氧层、沟道层和绝缘层，在所述绝缘层上布设铁电介质层，在铁电介质层上设置具有距离间隔的靠近漏端的编程栅极(PG)和靠近源端的编程栅极，通过对编程栅极施加脉冲完成铁电非易失掺杂，获得可编辑的半导体沟道能带结构，构建正反馈机制，实现超陡峭亚阈值特性，并兼具数据的存储与计算功能；其中，所述靠近漏端的编程栅极与漏极之间以靠近漏端的侧墙掩蔽，所述靠近源端的编程栅极与源极之间以靠近源端的侧墙掩蔽；本发明还提供了该器件的制备方法。基于本发明，可同时获得超陡峭亚阈值特性和存算一体功能，从而突破工作电压和数据输运所导致的能耗性能瓶颈。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 正反馈 场效应 晶体管 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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