[发明专利]一种丙硅烷的制备方法在审
| 申请号： | 202210386212.2 | 申请日： | 2022-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN116947051A | 公开（公告）日： | 2023-10-27 |
| 发明（设计）人： | 闫晓军;陈刚军;周明星;贾辉 | 申请（专利权）人： | 烟台万华电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/04 | 分类号： | C01B33/04;B01J21/18;B01J35/10 |
| 代理公司： | 北京信诺创成知识产权代理有限公司 11728 | 代理人： | 姜婷;陈悦军 |
| 地址： | 264006 山东省烟台市经济技*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： |
本发明提供了一种丙硅烷的制备方法，包含以下步骤：(1)将多孔碳材料置于耐压容器中，在抽真空条件下对耐压容器进行加热，冷却至室温后继续维持抽真空条件；(2)将耐压容器的温度降低至‑160～‑50℃后，并在该温度下将低阶硅烷以0.2L/min～0.8L/min的流速通入至耐压容器中，静置30～120min；(3)将耐压容器中的温度升至室温，静置后收集挥发出的丙硅烷；其中，多孔碳材料的比表面积≥500m |
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| 搜索关键词： | 一种 硅烷 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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