[发明专利]磷化铟双异质结双极型晶体管在审
申请号: | 202210387714.7 | 申请日: | 2022-04-14 |
公开(公告)号: | CN114864682A | 公开(公告)日: | 2022-08-05 |
发明(设计)人: | 王悦 | 申请(专利权)人: | 虎翅凌云集成电路制造有限责任公司 |
主分类号: | H01L29/737 | 分类号: | H01L29/737;H01L29/08;H01L29/06 |
代理公司: | 苏州锦尚知识产权代理事务所(普通合伙) 32502 | 代理人: | 李洋;李丹 |
地址: | 200000 上海市浦东新区自*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种磷化铟双异质结双极型晶体管,属于半导体器件技术领域。本发明公开的磷化铟双异质结双极型晶体管结构,在磷化铟衬底上采用应变铟砷磷过渡区消除了铟镓砷基区与磷化铟集电区之间的导带势垒,构建出无电子阻挡效应的双异质结双极型晶体管,提升了所述晶体管在频率、增益与击穿电压方面的电学性能。 | ||
搜索关键词: | 磷化 铟双异质结双极型 晶体管 | ||
【主权项】:
暂无信息
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