[发明专利]硅基CMOS图像传感器三维感光像素结构及其制备方法

摘要

本发明属于图像传感器领域，涉及一种硅基CMOS图像传感器三维感光像素结构及其制备方法。本发明可以有效提高光线入射效率，扩大光线空间角，从而有效提高前照式CMOS结构的综合感光性能；其纳米柱结构的感光像素结构，由于陷光效应和共振吸收增强效应，可有效提高光吸收利用率；由于硅纳米柱为内外型体PN结结构，因此相比相同横截面积的平面PN结感光像素，其具有更大面积的势垒区，可提高其满阱容量；因此同时实际入射光存在垂直以外的其他入射角度，使得其侧壁势垒区也可以响应入射光线，从而有效提高综合弱光响应能力；该结构制备方法难度较小，适合整合应用到成熟IC工业产线，从而有效提高硅基CMOS图像传感器的像素感光性能。