[发明专利]一种氮化镓半导体外延及其制备方法与功率及射频器件在审
| 申请号： | 202210388011.6 | 申请日： | 2022-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN114784089A | 公开（公告）日： | 2022-07-22 |
| 发明（设计）人： | 游正璋;方照诒;黄博崇 | 申请（专利权）人： | 闽都创新实验室 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 赵颖 |
| 地址： | 350108 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氮化镓半导体外延及其制备方法与功率及射频器件。所述氮化镓半导体外延包括层叠设置的衬底、缓冲层和应力调节层；所述缓冲层包括半导体材料；所述半导体材料包括AlN和/或AlInN。本发明通过在衬底和应力调节层之间生长一层缓冲层，所述缓冲层中含有半导体材料，减缓了衬底与应力调节层间因晶格失配与热失配而产生的螺旋型与刃型位错，且减少了镓的回溶，从而提升了外延晶体的品质。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 半导体 外延 及其 制备 方法 功率 射频 器件 | ||
【主权项】：
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