[发明专利]一种贵金属纳米线与二维二硫化钼复合结构的光电探测器及其制备方法

摘要

本发明提供了一种贵金属纳米线与二维二硫化钼复合结构的光电探测器及其制备方法，首先在氧化硅片上制备由多条平行排列的贵金属纳米线构成的第一贵金属纳米线阵列；再利用微机械剥离法将单层二硫化钼薄膜转移至氧化硅片的第一贵金属纳米线阵列上方；最后在单层二硫化钼薄膜上构筑第二贵金属纳米线阵列和贵金属电极，且第二贵金属纳米线阵列的纳米线与第一贵金属纳米线阵列的纳米线相互垂直形成贵金属纳米网格，得到基于复合结构的光电探测器。所述制备方法使贵金属纳米线的宽度和间距具有较大的可控性，可以实现对二维材料光学特性的灵活调制。该结构能够将光场牢牢局域并增强，提高光电探测器对光的吸收能力和灵敏度，具有较强的光探测性能。