[发明专利]集成电路中重离子致单粒子翻转软错误率的检测方法在审
| 申请号： | 202210391310.5 | 申请日： | 2022-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN114880984A | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 池雅庆;梁斌;陈建军;袁珩洲;罗登;郭阳;胡春媚;刘必慰;宋睿强;吴振宇 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科技大学 |
| 主分类号： | G06F30/398 | 分类号： | G06F30/398;G06F30/25;G06F115/06 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 周长清;胡君 |
| 地址： | 410073 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种集成电路中重离子致单粒子翻转软错误率的检测方法，步骤包括：S1.以被测集成电路中心为球心，在单位球面表面均匀排列多个球面点；S2.依次使用复合重离子束沿各个球面点向球心方向辐照被测集成电路，并测试预设的辐照时长内被测集成电路发生单粒子翻转事件的次数，所述复合重离子束包含具有多种能量的多种元素，所述复合重离子束在各LET的离子通量值大于指定空间轨道上各LET的离子通量；S3.根据检测得到的各所述被测集成电路发生单粒子翻转事件的次数以及所述辐照时长，计算被测集成电路在指定空间轨道下的重离子致单粒子翻转软错误率。本发明具有实现操作简单、易于实现且检测误差小、精度高等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 离子 粒子 翻转 错误率 检测 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国人民解放军国防科技大学，未经中国人民解放军国防科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210391310.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种资源调度方法和装置
- 下一篇：一种鲜椒酱及其蒸制工艺
