[发明专利]一种基于铁电顶栅的忆阻器及其制备方法与调控方法在审
| 申请号： | 202210392593.5 | 申请日： | 2022-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN114824071A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 韩素婷;吕子玉;周晔;高展;王燕;罗明涛;张宇琦 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C11/22 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 刘芙蓉 |
| 地址： | 518060 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种基于铁电顶栅的忆阻器及其制备方法与调控方法。所述忆阻器包括：衬底、间隔设置于所述衬底上的第一电极和第二电极、设置于所述第一电极和第二电极之间的阻变层、设置于所述阻变层上的铁电层、设置于所述铁电层上的顶栅极。本发明利用铁电效应调控忆阻器的存储效应，可实现忆阻行为的双向、非易失性调控；铁电效应也可在调控过程中，优化器件的存储性能，如降低器件操作电压，多比特存储和快速写入/擦除操作。铁电层的引入也使得器件可在两种模式下完成编程：其一，铁电层处于未极化翻转状态下，是单独的电场作用下完成电阻切换；其二，铁电层处于极化翻转状态，铁电场和电场的共同作用完成电阻切换。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 铁电顶栅 忆阻器 及其 制备 方法 调控 | ||
【主权项】：
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