[发明专利]掩模版残胶清理设备及掩模版残胶清理方法在审
申请号: | 202210397099.8 | 申请日: | 2022-04-15 |
公开(公告)号: | CN114721219A | 公开(公告)日: | 2022-07-08 |
发明(设计)人: | 林锦鸿;谢发政;吴仕伟 | 申请(专利权)人: | 泉意光罩光电科技(济南)有限公司 |
主分类号: | G03F1/82 | 分类号: | G03F1/82 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 马泽伟 |
地址: | 250000 山东省济南市高新区经十路7*** | 国省代码: | 山东;37 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请提供一种掩模版残胶清理设备及掩模版残胶清理方法,涉及掩模版保护技术领域。本申请将残胶清除组件经升降机构安装在承载基座上,使残胶清除组件可在升降机构的带动作用下相对于承载基座进行升降运动,接着将清理平台安装在承载基座上,使清理平台可带动自身盛放的带残胶掩模版相对于承载基座在水平面上移动或转动,进而通过使清理平台在残胶清除组件与带残胶掩模版的带残胶表面接触的情况下带动带残胶掩模版移动或转动来完成残胶擦除操作,从而通过对应掩模版残胶清理设备避免人工擦拭除胶所导致的人体损伤,并对单次掩模版除胶效果进行工艺标准化,降低掩模版在残胶去除过程中被污染的风险。 | ||
搜索关键词: | 模版 清理 设备 方法 | ||
【主权项】:
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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