[发明专利]一种CMOS反相器单粒子闩锁效应仿真方法在审
| 申请号： | 202210401979.8 | 申请日： | 2022-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN114692535A | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 孟洋;吕贺;曹荣幸;薛玉雄;梅博;张洪伟;刘洋;郑澍;李红霞;韩丹;曾祥华;李兴冀;杨剑群 | 申请（专利权）人： | 扬州大学 |
| 主分类号： | G06F30/3308 | 分类号： | G06F30/3308;G06F30/337;G06F111/10 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 225009 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种CMOS反相器单粒子闩锁效应仿真方法，基于器件内部工艺参数，利用TCAD仿真平台构建NMOS‑PMOS组合的完整CMOS工艺结构模型。该模型可以准确表征器件发生SEL时的PNPN可控硅正反馈大电流随时空的演变过程，弥补了NMOS单管SEL模型不能准确表征CMOS反相器SEL特性的缺点，从而提高了器件SEL模拟仿真准确度。本发明方法可以快速便捷获得器件发生SEL的电参数空间分布特性，为器件的SEL研究及型号产品设计加固提供技术支撑。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cmos 反相器单 粒子 效应 仿真 方法 | ||
【主权项】：
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