[发明专利]光电倍增管单光电子响应刻度方法、装置及探测器在审
| 申请号： | 202210407382.4 | 申请日： | 2022-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN114705308A | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 江琨;王岩;唐泽波;查王妹;李澄;沈凯峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | G01J11/00 | 分类号： | G01J11/00;G01V8/10;G06F17/15;G06F30/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种光电倍增管单光电子响应刻度方法、装置、设备、介质和探测器。该方法包括：分别在m个光强下获取光电倍增管输出信号的电荷谱，得到m个电荷谱；分别确定m个电荷谱中落于目标电荷区间内的光电子事例数，得到m个第一事例数；依据m个第一事例数与光电子事例数概率分布模型，得到单光电子响应函数在目标电荷区间内的概率；以第一区间宽度为步长，更新目标电荷区间，重复执行获取单光电子响应函数在目标电荷区间内的概率的操作，直至以第一区间宽度遍历电荷谱中所有电荷值，从而得到单光电子的电荷响应分布函数，以及依据单光电子的电荷响应分布函数确定针对光电倍增管的单光电子响应信息。 | ||
| 搜索关键词： | 光电倍增管 光电子 响应 刻度 方法 装置 探测器 | ||
【主权项】：
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