[发明专利]一种硅基电光调制器及其slab区掺杂浓度的设置方法

摘要

本发明涉及一种硅基电光调制器slab区掺杂浓度的设置方法，设置相对接的P区和N区，形成PN结，设置P型slab轻掺杂区和N型slab轻掺杂区，P型slab轻掺杂区连接于P区，N型slab轻掺杂区连接于N区。P区的主要载流子为空穴，空穴总量为PT。N区的主要载流子为电子，电子总量为NT。P区的主要载流子的单位时间的迁移量Pt为空穴的迁移率和P型slab轻掺杂区的掺杂浓度之积。N区的主要载流子的单位时间的迁移量Nt为电子的迁移率和N型slab轻掺杂区的掺杂浓度之积。按照P区的主要载流子的迁移总时间PT/Pt和N区的主要载流子的迁移总时间NT/Nt相等来设置P型slab轻掺杂区和N型slab轻掺杂区的掺杂浓度，能提高N区和P区载流子浓度的匹配度，增大带宽，减小光场的模式失真。