[发明专利]半导体设备的操作方法在审
| 申请号： | 202210411086.1 | 申请日： | 2022-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN116926514A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 林昱利;赖璿午 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/505 | 分类号： | C23C16/505;C23C16/40;C23C16/44;C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 康艳青;王琳 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种半导体设备的操作方法包括在半导体设备的腔室中以射频功率与压力沉积半导体层在加热器上的晶圆；减小腔室中的射频功率与压力以执行第一等离子体净化程序；沉积氧化物层在半导体层上；下降加热器的位置；以及对腔室抽除气体。减小射频功率与压力使腔室中的等离子体工作区域缩小，借此降低半导体层表面出现缺陷的机率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体设备 操作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
