[发明专利]半导体存储器件在审
申请号: | 202210412399.9 | 申请日: | 2022-04-19 |
公开(公告)号: | CN115274667A | 公开(公告)日: | 2022-11-01 |
发明(设计)人: | 李炅奂;金容锡;金一权;徐亨源;柳成原;洪截昊 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;H01L23/64 |
代理公司: | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人: | 李娜;王占杰 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 一种半导体存储器件包括:字线,在衬底上沿垂直方向延伸;半导体图案,在俯视图中具有围绕所述字线延伸的环形水平截面;位线,设置在所述半导体图案的第一端处;以及电容器结构,设置在所述半导体图案的第二端处。所述电容器结构包括下电极层,所述下电极层电连接到所述半导体图案的所述第二端的下电极层、具有环形水平截面并且包括沿所述垂直方向延伸的连接部。第一段从所述连接部的上端沿水平方向延伸,第二段从所述连接部的下端沿所述水平方向延伸。被所述下电极层围绕的上电极层沿所述垂直方向延伸,并且电容器介电层位于所述下电极层与所述上电极层之间。 | ||
搜索关键词: | 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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