[发明专利]半导体存储器件在审

专利信息
申请号: 202210412399.9 申请日: 2022-04-19
公开(公告)号: CN115274667A 公开(公告)日: 2022-11-01
发明(设计)人: 李炅奂;金容锡;金一权;徐亨源;柳成原;洪截昊 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L27/108 分类号: H01L27/108;H01L23/64
代理公司: 北京市立方律师事务所 11330 代理人: 李娜;王占杰
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 一种半导体存储器件包括:字线,在衬底上沿垂直方向延伸;半导体图案,在俯视图中具有围绕所述字线延伸的环形水平截面;位线,设置在所述半导体图案的第一端处;以及电容器结构,设置在所述半导体图案的第二端处。所述电容器结构包括下电极层,所述下电极层电连接到所述半导体图案的所述第二端的下电极层、具有环形水平截面并且包括沿所述垂直方向延伸的连接部。第一段从所述连接部的上端沿水平方向延伸,第二段从所述连接部的下端沿所述水平方向延伸。被所述下电极层围绕的上电极层沿所述垂直方向延伸,并且电容器介电层位于所述下电极层与所述上电极层之间。
搜索关键词: 半导体 存储 器件
【主权项】:
暂无信息
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