[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202210413900.3 | 申请日： | 2022-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN116936508A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 廖廷丰;翁茂元;刘光文 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开提供了一种半导体结构，包括：基板、叠层、多个有源结构、多个连接结构和多个隔离层。叠层设置在基板上。叠层具有多个次阵列区。叠层包括交替设置的栅极电极和介电层。有源结构在次阵列区中穿过叠层。存储单元由栅极电极和有源结构的交点所定义。连接结构在次阵列区之间穿过叠层。连接结构中的每一个包括第一部分、第二部分和第三部分。第一部分形成为连接结构的最外层，由多晶硅形成。第二部分设置在第一部分所定义的空间中，由非晶硅形成。第三部分设置在第二部分上，由非晶硅形成。隔离层设置在叠层的侧壁与连接结构之间。本公开还提供了一种半导体结构的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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