[发明专利]一种光探测器、光探测器的制备方法及其响应度调控方法有效
申请号: | 202210414043.9 | 申请日: | 2022-04-20 |
公开(公告)号: | CN114512568B | 公开(公告)日: | 2022-06-28 |
发明(设计)人: | 王子栋;王辰阳;孔庆凯;辛宏伟 | 申请(专利权)人: | 北京中科海芯科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/102 | 分类号: | H01L31/102;H01L31/0216;H01L31/18 |
代理公司: | 北京鼎承知识产权代理有限公司 11551 | 代理人: | 夏华栋;顾可嘉 |
地址: | 100089 北京市海*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开一种光探测器、光探测器的制备方法及其响应度调控方法,涉及光探测器技术领域,以解决光探测器的响应度不具有非易失性的问题。所述光探测器包括:衬底。形成在衬底上的功能层。形成在功能层上的两个电极。形成在功能层位于两个电极之间的部位上的透光保护层。以及形成在透光保护层内的GST相变层。所述光探测器的制备方法包括上述技术方案所提的光探测器。本发明提供的光探测器的制备方法用于制备光探测器。 | ||
搜索关键词: | 一种 探测器 制备 方法 及其 响应 调控 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的