[发明专利]增强型高电子迁移率晶体管功率器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202210414466.0 | 申请日： | 2022-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN114899231A | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 徐峰 | 申请（专利权）人： | 扬州大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/15 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 225009 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种增强型高电子迁移率晶体管功率器件及其制备方法，所述器件包括从下至上依次叠设的衬底、预铺层、成核层、渐变层、高阻层、沟道层、势垒层和P型层，势垒层上形成源极和漏极，P型层上形成栅极，分别在源极和P型层之间、漏极和P型层之间的势垒层上设置钝化层；P型层包括InGaN超晶格以及叠设在InGaN超晶格上的AlGaN超晶格。本发明能够兼顾到提升材料结晶质量、增加空穴注入效率，增强器件饱和电流、阈值电压和可靠性等多重工艺目的；有效提升受主掺杂的激活效率，增加P型层材料的空穴载流子浓度；相应地还可以减小受主掺杂浓度，降低空穴载流子受到的杂质散射机制。 | ||
| 搜索关键词： | 增强 电子 迁移率 晶体管 功率 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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