[发明专利]半导体结构的制造方法在审
| 申请号： | 202210417435.0 | 申请日： | 2022-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN114975122A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 包家豪;杨智铨;林士豪;林建隆;陈稚轩;王屏薇 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供半导体结构的制造方法，包括提供具第一区域及第二区域的基板、形成自基板的第一区域突出的鳍片，其中鳍片包括第一硅锗层及设置于第一硅锗层上的多个硅层与多个第二硅锗层交替的堆叠，且第一硅锗层具有第一锗浓度而多个第二硅锗层中的每一者具大于第一锗浓度的第二锗浓度、掘入鳍片以形成S/D凹槽、掘入S/D凹槽中暴露的第一硅锗层与多个第二硅锗层，其中多个第二硅锗层被掘入的程度多于第一硅锗层、在S/D凹槽中形成S/D特征、移除被掘入的第一硅锗层及多个第二硅锗层以形成多个开口，以及在鳍片上方及多个开口中形成金属栅极结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
