[发明专利]一种基于叠层结构的氧化石墨烯忆阻器及其制备方法在审
| 申请号： | 202210421804.3 | 申请日： | 2022-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN114899312A | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 李阳;凌松涛;张程;施智明;何瑞钰;朱成才;毕冉 | 申请（专利权）人： | 苏州科技大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G16C20/70 |
| 代理公司： | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人： | 夏苏娟 |
| 地址： | 215000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于数据存储技术领域，具体涉及一种基于叠层结构的氧化石墨烯忆阻器及其制备方法。基于叠层结构的氧化石墨烯忆阻器包括依次设置的导电基底层、第一氧化石墨烯层、吡啶盐薄膜层、第二氧化石墨烯层和金属电极层。本发明借助叠层结构功能层的巧妙设计，通过将吡啶盐薄膜作为缓冲层插入氧化石墨烯薄膜层中间，有效抑制了金属离子的不规则迁移和导电细丝的杂乱生长，诱导了氧化石墨烯忆阻器的稳定双向调谐和快速响应性能，实现了高性能人工突触的制备，在仿生和神经形态计算领域中具有极高的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 结构 氧化 石墨 烯忆阻器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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