[发明专利]新型双回滞静电保护器件有效
| 申请号： | 202210421998.7 | 申请日： | 2022-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN114759026B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 齐钊;乔明;赵菲;魏敬奇;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出了一种新型双回滞静电保护器件，包括：第一SN注入、第二SN注入、第一SP注入、第二SP注入、第三SP注入、深层齐纳P区、N阱、Pbody区、阳极金属线、阴极金属线；当N阱与Pbody区发生雪崩击穿后，由第一SP注入、N阱、Pbody区、深层齐纳P区、第二SN注入组成的PNP+齐纳二极管路径将会被率先开启，该路径回滞现象很弱，被认为是本器件的第一次回滞。随着电流增加，由N阱、Pbody区、第二SP注入构成的NPN才会打开，从而引发强回滞，而此时Ih已经很高。该曲线能够很好的避免端口LU，同时降低VC。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 双回滞 静电 保护 器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
