[发明专利]一种避免晶圆污染制备脊波导的方法在审
申请号: | 202210426035.6 | 申请日: | 2022-04-21 |
公开(公告)号: | CN114678769A | 公开(公告)日: | 2022-06-28 |
发明(设计)人: | 李志峰;高子凡;赵培栋;佘朋辉 | 申请(专利权)人: | 河南仕佳光子科技股份有限公司 |
主分类号: | H01S5/22 | 分类号: | H01S5/22;H01S5/12 |
代理公司: | 郑州优盾知识产权代理有限公司 41125 | 代理人: | 孙诗雨 |
地址: | 458030 河南省鹤壁市*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | 本发明提出了一种避免晶圆污染制备脊波导的方法,用以解决RWG型DFB激光器脊波导的制备过程中容易导致晶圆及治具脏污的技术问题,包括以下步骤:利用化学气相沉积法在外延生长后的DFB晶圆的正面生长氧化硅膜反面生长保护膜;利用光刻法在晶圆的正面制作出脊波导图形;利用ICP刻蚀工艺分别对晶圆正面的氧化硅膜上和接触层进行刻蚀;将刻蚀后的晶圆用腐蚀液Ⅰ制备脊波导;随后用腐蚀液Ⅱ去除正面剩余的氧化硅和背面的保护膜,制得具有脊波导的DFB晶圆。本发明通过提前在晶圆背面生长保护膜,可以有效阻止腐蚀液Ⅰ蚀背面的InP,避免晶圆背面外延生长上的AlInAs、InGaAs脱附到腐蚀液Ⅰ中,造成晶圆以及治具污染。 | ||
搜索关键词: | 一种 避免 污染 制备 波导 方法 | ||
【主权项】:
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