[发明专利]改善位错缺陷的外延方法及其外延片在审
| 申请号： | 202210427008.0 | 申请日： | 2022-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN114864379A | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 闫其昂;王国斌 | 申请（专利权）人： | 江苏第三代半导体研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市苏州工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出一种改善位错缺陷的外延方法及外延片。所述外延方法包括如下步骤：提供衬底；在衬底表面形成第一调制超晶格缓冲层，用于调节热失配；继续形成第二调制超晶格缓冲层，用于阻断位错；继续形成外延层。本发明通过依次衬底上方设置调节热失配和阻断位错的超晶格缓冲层，通过热膨胀系数调制和阻断位错，能够在衬底上方形成高质量外延层。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 缺陷 外延 方法 及其 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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