[发明专利]无损检测半导体缺陷演变方法、系统及装置在审
| 申请号： | 202210428181.2 | 申请日： | 2022-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN114527143A | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | 王蓉;高万冬;皮孝东;钱怡潇;李佳君;杨德仁 | 申请（专利权）人： | 浙江大学杭州国际科创中心 |
| 主分类号： | G01N21/95 | 分类号： | G01N21/95 |
| 代理公司： | 杭州五洲普华专利代理事务所(特殊普通合伙) 33260 | 代理人： | 姚宇吉 |
| 地址： | 310000 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开一种无损检测半导体缺陷演变方法、系统及装置，方法包括：获取至少两种波长的单色激发光照射于待检测半导体形成的光致发光光谱图像，其中，每种波长的单色激发光照射在待检测半导体的同一区域；判断每个光致发光光谱图像中是否在特定波长范围内存在光谱特征峰；若存在，则通过光谱特征峰的形态确定出对应的缺陷类型；将所述缺陷类型与相应的深度进行关联，得到待检测半导体缺陷的纵向分布，进而得到同一区域内不同缺陷类型之间的相互演化。得到待检测半导体同一区域不同深度的缺陷，进而得到纵向的变化，能够直接研究缺陷的起源并且得到不同缺陷之间的相互演化，从而为晶体缺陷质量的改善提供重要的参考。 | ||
| 搜索关键词： | 无损 检测 半导体 缺陷 演变 方法 系统 装置 | ||
【主权项】：
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