[发明专利]一种基于ScAlMgO4 在审
| 申请号： | 202210431166.3 | 申请日： | 2022-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN114864401A | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 钟玉煌;张海涛;许彬;潘华;陆羽;蒲小东;王素素 | 申请（专利权）人： | 无锡吴越半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/15;H01L21/02;H01L29/778;C30B29/68;C30B29/40;C30B25/16 |
| 代理公司： | 无锡智麦知识产权代理事务所(普通合伙) 32492 | 代理人： | 王普慧 |
| 地址： | 214000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种基于ScAlMgO |
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| 搜索关键词： | 一种 基于 scalmgo base sub | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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