[发明专利]光掩模坯、光掩模及半导体器件的制造方法在审

专利信息
申请号: 202210433715.0 申请日: 2022-04-24
公开(公告)号: CN115268202A 公开(公告)日: 2022-11-01
发明(设计)人: 李乾坤;崔石荣;李亨周;孙晟熏;金星润;郑珉交;申仁均 申请(专利权)人: SKC索密思株式会社
主分类号: G03F1/26 分类号: G03F1/26;G03F1/58
代理公司: 成都超凡明远知识产权代理有限公司 51258 代理人: 洪玉姬
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 实施例涉及光掩模坯、光掩模、半导体器件的制造方法等,提供光掩模坯等,上述光掩模坯包括:透光基板,以及多层的遮光膜,配置于上述透光基板上;上述遮光膜包括:第一遮光层,具有第一硬度,以及第二遮光层,具有第二硬度;上述第一遮光层配置成比上述第二遮光层更接近上述透光基板,上述第一硬度为大于上述第二硬度的值。实施例的光掩模坯、光掩模等具有提高的耐缺陷性能,在半导体器件的制造方法中,通过高的精密度进一步减少缺陷的产生。
搜索关键词: 光掩模坯 光掩模 半导体器件 制造 方法
【主权项】:
暂无信息
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