[发明专利]光掩模坯、光掩模及半导体器件的制造方法在审
申请号: | 202210433715.0 | 申请日: | 2022-04-24 |
公开(公告)号: | CN115268202A | 公开(公告)日: | 2022-11-01 |
发明(设计)人: | 李乾坤;崔石荣;李亨周;孙晟熏;金星润;郑珉交;申仁均 | 申请(专利权)人: | SKC索密思株式会社 |
主分类号: | G03F1/26 | 分类号: | G03F1/26;G03F1/58 |
代理公司: | 成都超凡明远知识产权代理有限公司 51258 | 代理人: | 洪玉姬 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 实施例涉及光掩模坯、光掩模、半导体器件的制造方法等,提供光掩模坯等,上述光掩模坯包括:透光基板,以及多层的遮光膜,配置于上述透光基板上;上述遮光膜包括:第一遮光层,具有第一硬度,以及第二遮光层,具有第二硬度;上述第一遮光层配置成比上述第二遮光层更接近上述透光基板,上述第一硬度为大于上述第二硬度的值。实施例的光掩模坯、光掩模等具有提高的耐缺陷性能,在半导体器件的制造方法中,通过高的精密度进一步减少缺陷的产生。 | ||
搜索关键词: | 光掩模坯 光掩模 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
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G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备