[发明专利]碳化硅半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202210433930.0 | 申请日： | 2022-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN114678425A | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 袁俊 | 申请（专利权）人： | 湖北九峰山实验室 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/417;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 姚璐华 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种碳化硅半导体器件及其制作方法，所述碳化硅半导体器件包括：碳化外延层，具有相对的第一表面和第二表面，第一表面包括栅极区域以及位于栅极区域两侧的源极区域；栅极区域的表面内具有第一沟槽；基于第一沟槽形成在碳化外延层内的第一耐压掩蔽结构；位于第一沟槽内的栅极结构，表面上具有金属栅极；源极区域的表面内具有第二耐压掩蔽结构；源极区域的表面上具有金属源极；第一表面内具有阱区，位于第一沟槽与第二耐压掩蔽结构之间。碳化硅半导体器件基于第一沟槽在碳化硅外延层内形成有第一耐压掩蔽结构，在源极区域的表面内形成有第二耐压掩蔽结构，提高了第一沟槽底部拐角区域的耐压性，解决了在电场集中区域容易出现击穿问题。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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