[发明专利]一种中高性能钕铁硼磁体及制备方法在审
申请号: | 202210437883.7 | 申请日: | 2022-04-25 |
公开(公告)号: | CN114914046A | 公开(公告)日: | 2022-08-16 |
发明(设计)人: | 卢阳春;卢汉洲;强傲生 | 申请(专利权)人: | 浙江凯文磁业有限公司 |
主分类号: | H01F1/057 | 分类号: | H01F1/057;H01F41/02;B22F3/10;B22F3/24;B22F9/02;B22F9/04;C21D1/00;C21D6/00;C22C33/02;C22C38/06;C22C38/10;C22C38/12;C22C38/14;C22C38/16 |
代理公司: | 杭州浙科专利事务所(普通合伙) 33213 | 代理人: | 刘元慧 |
地址: | 322100 浙江省金*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种中高性能钕铁硼及制备方法,通过主辅相双合金工艺,主相合金为低稀土总量的铈铁硼,辅相为高稀土总量的钕铁硼合金,避免主相轻稀土进入晶界,而辅相中富余的稀土进入晶界重构成富稀土相。将制备的磁体加工成薄磁片,磁控溅射HReM低熔点合金,实现了低温晶界扩散,该合金提高了晶界浸润性,也提高了富稀土相的流动性,使含铈钕铁硼主、辅相晶粒,在晶界扩散时被快速隔离,低温扩散避免了扩散入的重稀土被镨钕铈元素置换,抑制了铈铁硼晶粒间交换耦合,使重稀土游离于晶界,或与富稀土相作用在主相晶粒表层形成核壳结构,使富稀土相连续均匀分布,有效提升了晶界扩散重稀土元素对提高含铈磁体内禀矫顽力的效能。 | ||
搜索关键词: | 一种 中高 性能 钕铁硼 磁体 制备 方法 | ||
【主权项】:
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