[发明专利]一种制备高熵合金涂层的方法在审

专利信息
申请号: 202210439957.0 申请日: 2022-04-25
公开(公告)号: CN114752910A 公开(公告)日: 2022-07-15
发明(设计)人: 金凡亚;但敏;陈伦江;聂军伟;黄熠;祝土富;吴艾瑛 申请(专利权)人: 核工业西南物理研究院
主分类号: C23C14/48 分类号: C23C14/48;C22C30/00
代理公司: 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 代理人: 梁田
地址: 610000 四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 为解决现有的高熵合金涂层制备方法制备的高熵合金涂层存在缺陷的技术问题,本发明实施例提供一种制备高熵合金涂层的方法,包括:将含有用于制备高熵合金涂层所需金属元素的金属材料作为离子注入MEVVA源的阴极材料;通过离子注入的方式在金属基体表面上注入金属材料含有的金属的金属离子,以在基体表面形成合金相涂层。本发明实施例解决了现有的高熵合金涂层制备方法制备的高熵合金涂层存在的金属基体和高熵合金涂层结合力较差的缺陷,制备出了与基体附着力牢固的高熵合金涂层。
搜索关键词: 一种 制备 合金 涂层 方法
【主权项】:
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