[发明专利]一种压敏电阻基体芯片、高能量型电涌保护器阀片及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202210440445.6 申请日: 2022-04-25
公开(公告)号: CN114709038A 公开(公告)日: 2022-07-05
发明(设计)人: 宋彩利 申请(专利权)人: 西安石油大学
主分类号: H01C7/112 分类号: H01C7/112;H01C7/102;H01C7/12;H01C1/142;H01C17/28;H01C17/30
代理公司: 西安智大知识产权代理事务所 61215 代理人: 弋才富
地址: 710065 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 一种压敏电阻基体芯片、高能量型电涌保护器阀片及其制造方法,包括压敏电阻基体芯片,设置在与压敏电阻基体芯片两端面紧密连接的金属电极片、以及压敏电阻基体芯片外的环氧树脂包封层;压敏电阻基体芯片是由压敏电阻瓷体两端面的外边缘自由边以及侧面均设置有绝缘涂层,压敏电阻瓷体两端面无绝缘涂层处设置有腐蚀凹坑,以及在腐蚀凹坑上方设置有金属表面电极层;本发明将压敏电阻瓷体粘贴玻璃粉生胶带、高温回火、刻蚀、表面电极化、刷锡、焊接、环氧树脂包封后制造得到;本发明采用压敏电阻刻蚀技术,有效增加金属表面电极与压敏电阻瓷体的结合力,从而可以有效提升阀片的通流容量、能量耐受能力和工频耐受能力。
搜索关键词: 一种 压敏电阻 基体 芯片 高能量 型电涌 保护 器阀片 及其 制造 方法
【主权项】:
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