[发明专利]一种基于梯度声黑洞结构带隙调控的声子晶体有效
申请号: | 202210441930.5 | 申请日: | 2022-04-25 |
公开(公告)号: | CN114822467B | 公开(公告)日: | 2022-12-09 |
发明(设计)人: | 秦朝烨;高文亮;褚福磊 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | G10K11/172 | 分类号: | G10K11/172 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 薛异荣 |
地址: | 100084*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: |
本发明公开了一种基于梯度声黑洞结构带隙调控的声子晶体,包括:沿着声子晶体的中心轴方向排列的第一元胞单元至第N元胞单元;任意一个第k元胞单元包括第k均截面梁段和第k变截面梁段,第k变截面梁段朝向第k均截面梁段一侧的端面面积等于第k均截面梁段的横截面面积,自第k变截面梁段朝向第k均截面梁段的一侧至第k变截面梁段背向第k均截面梁段的一侧的方向上,第k变截面梁段的横截面面积递减;第k |
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搜索关键词: | 一种 基于 梯度 黑洞 结构 调控 晶体 | ||
【主权项】:
暂无信息
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