[发明专利]一种基于梯度声黑洞结构带隙调控的声子晶体有效

专利信息
申请号: 202210441930.5 申请日: 2022-04-25
公开(公告)号: CN114822467B 公开(公告)日: 2022-12-09
发明(设计)人: 秦朝烨;高文亮;褚福磊 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: G10K11/172 分类号: G10K11/172
代理公司: 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 代理人: 薛异荣
地址: 100084*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种基于梯度声黑洞结构带隙调控的声子晶体,包括:沿着声子晶体的中心轴方向排列的第一元胞单元至第N元胞单元;任意一个第k元胞单元包括第k均截面梁段和第k变截面梁段,第k变截面梁段朝向第k均截面梁段一侧的端面面积等于第k均截面梁段的横截面面积,自第k变截面梁段朝向第k均截面梁段的一侧至第k变截面梁段背向第k均截面梁段的一侧的方向上,第k变截面梁段的横截面面积递减;第k1元胞单元中的第k1变截面梁段与第k2元胞单元中第k2均截面梁段连接,第k1变截面梁段朝向第k2均截面梁段的一侧的端面面积小于第k2均截面梁段的横截面面积。基于梯度声黑洞结构带隙调控的声子晶体能实现低频宽带减振。
搜索关键词: 一种 基于 梯度 黑洞 结构 调控 晶体
【主权项】:
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