[发明专利]基于相变材料的逆向设计光子仿真器及逆向设计方法在审

专利信息
申请号: 202210443326.6 申请日: 2022-04-25
公开(公告)号: CN114755846A 公开(公告)日: 2022-07-15
发明(设计)人: 董建绩;成骏伟;张文凯;周海龙;张新亮 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: G02F1/00 分类号: G02F1/00;G02F1/01;G02F1/35;G02B27/00
代理公司: 华中科技大学专利中心 42201 代理人: 夏倩;李智
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种基于相变材料的逆向设计光子仿真器及逆向设计方法,属于集成光子器件设计领域,包括:芯片,包括从下至上依次设置的硅衬底层、氧化硅层、平板光波导以及相变材料层;相变材料层未覆盖输入端口和输入端口;光调控模块,设置于芯片上方,可进行三维平移,用于对相变材料层中不同位置进行激光照射,以改变相应位置处相变材料的状态;信号光源,设置于平板光波导的输入端口一侧,用于输入激光信号;以及光电探测模块,设置于平板光波导的输出端口一侧,用于探测输出光信号的光功率,得到芯片的光学响应;优选地,平板光波导的输出端口还集成有非线性材料。本发明能够有效提高集成光子器件逆向设计的效率,并减少所需消耗的计算资源。
搜索关键词: 基于 相变 材料 逆向 设计 光子 仿真器 方法
【主权项】:
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