[发明专利]半导体芯片及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202210447265.0 申请日: 2022-04-26
公开(公告)号: CN115274843A 公开(公告)日: 2022-11-01
发明(设计)人: 星真一;长屋正武;笹冈千秋;河口大祐;原佳祐 申请(专利权)人: 株式会社电装;丰田自动车株式会社;未来瞻科技株式会社;国立大学法人东海国立大学机构;浜松光子学株式会社
主分类号: H01L29/778 分类号: H01L29/778;H01L21/335
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 王琼先
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 一种半导体芯片,包括芯片构成基板(10),芯片构成基板(10)具有第一表面(10a)和第二表面(10b),并且包括含有氮化镓的层。芯片构成基板(10)设置有半导体元件,构成半导体元件的部件与位于与第二表面(10b)相邻的区域中相比更多地位于与第一表面(10a)相邻的区域。芯片构成基板(10)形成有从第一表面(10a)到第二表面(10b)贯通芯片构成基板(10)的通孔(20)。通孔(20)限定与第一表面(10a)相邻的第一开口及与第二表面(10b)相邻的第二开口,且第一开口大于第二开口。
搜索关键词: 半导体 芯片 及其 制造 方法
【主权项】:
暂无信息
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