[发明专利]半导体芯片及其制造方法在审
申请号: | 202210447265.0 | 申请日: | 2022-04-26 |
公开(公告)号: | CN115274843A | 公开(公告)日: | 2022-11-01 |
发明(设计)人: | 星真一;长屋正武;笹冈千秋;河口大祐;原佳祐 | 申请(专利权)人: | 株式会社电装;丰田自动车株式会社;未来瞻科技株式会社;国立大学法人东海国立大学机构;浜松光子学株式会社 |
主分类号: | H01L29/778 | 分类号: | H01L29/778;H01L21/335 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 王琼先 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 一种半导体芯片,包括芯片构成基板(10),芯片构成基板(10)具有第一表面(10a)和第二表面(10b),并且包括含有氮化镓的层。芯片构成基板(10)设置有半导体元件,构成半导体元件的部件与位于与第二表面(10b)相邻的区域中相比更多地位于与第一表面(10a)相邻的区域。芯片构成基板(10)形成有从第一表面(10a)到第二表面(10b)贯通芯片构成基板(10)的通孔(20)。通孔(20)限定与第一表面(10a)相邻的第一开口及与第二表面(10b)相邻的第二开口,且第一开口大于第二开口。 | ||
搜索关键词: | 半导体 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社电装;丰田自动车株式会社;未来瞻科技株式会社;国立大学法人东海国立大学机构;浜松光子学株式会社,未经株式会社电装;丰田自动车株式会社;未来瞻科技株式会社;国立大学法人东海国立大学机构;浜松光子学株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202210447265.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:链接3D模型的视图/状态以及在其中传播更新
- 下一篇:阻抗转换电路和放大模块
- 同类专利
- 专利分类