[发明专利]SPAD器件结构、SPAD探测器及SPAD器件结构制备方法有效
| 申请号： | 202210449273.9 | 申请日： | 2022-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN114975657B | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 董杰;徐跃 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/107;H01L27/144;H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 董成 |
| 地址： | 210003 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种SPAD器件结构、SPAD探测器及SPAD器件结构制备方法，主要利用P阱与深N阱、高压P阱与N+埋层之间形成两个的雪崩倍增区来提高器件对不同波段光子的响应效率，其中高压P阱与N+埋层之间的雪崩倍增区可以更好地响应较长波段的光子，P阱与深N阱之间的雪崩倍增区可以响应较短波段的光子，提高了器件的光子探测效率，而且在器件之间可以共用埋层与阴极，极大地减小阵列的面积，提高阵列的填充因子。为宽光谱响应、高密度集成的SPAD阵列设计提供了新思路。 | ||
| 搜索关键词： | spad 器件 结构 探测器 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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