[发明专利]基于铬掩膜的铌酸锂薄膜亚微米线宽脊型光波导制备方法有效
| 申请号： | 202210453489.2 | 申请日： | 2022-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN114755761B | 公开（公告）日： | 2023-01-24 |
| 发明（设计）人： | 谢树果;田雨墨;杨燕 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | G02B6/13 | 分类号： | G02B6/13;G02B6/132;G02B6/136;G02B6/122;G03F7/20;G02B6/12 |
| 代理公司： | 北京天汇航智知识产权代理事务所(普通合伙) 11987 | 代理人： | 黄川 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于铬掩膜的铌酸锂薄膜亚微米线宽脊型光波导制备方法，包括以下步骤：获取待加工的铌酸锂薄膜样品；使用电子束蒸发镀膜系统在所述铌酸锂薄膜样品表面沉积铝膜，在铝膜表面旋涂光刻胶，用电子束曝光光刻机将掩膜图案刻在样品上；将样品放置于显影液中进行显影，用电子束蒸发镀膜系统在样品表面沉积铬膜；将样品放入剥离液中，去除光刻胶，留下铬掩膜图形；利用电感耦合等离子体对样品进行刻蚀，得到铌酸锂薄膜亚微米线宽脊型光波导。该方法可以制备获得亚微米级线宽的脊型光波导，且光波导的侧壁垂直度高，基于此工艺加工的铌酸锂光波导器件体积小，易集成，具有良好的光约束条件。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 铬掩膜 铌酸锂 薄膜 微米 线宽脊型光 波导 制备 方法 | ||
【主权项】：
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