[发明专利]一种光敏半导体材料及其制备方法和应用

摘要

本发明公开了一种光敏半导体材料及其制备方法和应用，其中光敏半导体材料为配合物1——[(1‑(2‑吡啶基)‑2‑(3‑吡啶基)乙烯)(1,3‑苯二甲酸根)0.5银]n，该配合物的导电率为26.8±1.2S·cm‑1。该光敏半导体材料在紫外光的辐射下生成配合物2——[(1,3‑二(2‑吡啶基)‑2,4‑二(3‑吡啶基))‑环丁烷)0.5(1,3‑苯二甲酸根)0.5银]n，配合物2的导电率为39.1±1.1S·cm‑1，较配合物1的导电率提高了46％。本发明光敏半导体材料的合成方法简单，合成条件温和，可大规模生产。