[发明专利]一种晶片清洗水和清洗晶片的方法在审
| 申请号： | 202210455713.1 | 申请日： | 2022-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN114806747A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 郝齐齐;贺贤汉;周伯成;阮安俊;束磊 | 申请（专利权）人： | 安徽富乐德科技发展股份有限公司 |
| 主分类号： | C11D7/18 | 分类号： | C11D7/18;C11D7/06;C11D7/08;C11D7/10;C11D11/00;H01L21/02;H01L21/67;C09K13/04 |
| 代理公司： | 铜陵市天成专利事务所(普通合伙) 34105 | 代理人： | 李坤 |
| 地址： | 244000 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及晶片清洗技术领域，尤其涉及用于一种晶片清洗水和清洗晶片的方法，包括去有机物和金属的清洗水、去颗粒的有机水和去金属的有机水，去有机物和金属的清洗水具有大于1MΩ.cm的电阻率，该去有机物和金属的清洗水内含有H2SO4和H2O2，且H2OH：H2SO4的比例为2~4：1，本发明去有机物和金属的有机水内的H2SO4和H2O2的强氧化性和脱水性，在浸泡过程中，去有机物和金属的有机水和附着在半导体晶片上的有机物进行反应，对有机物内的碳氢键进行破坏，H2O2和有机物反应放出氧气和水，H2O2会和金属发生剧烈反应，而H2SO4会脱去有机物中的氢氧元素，实现对半导体晶片上的有机物的去除，提高对半导体上有机物的清洁速度与效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶片 清洗 方法 | ||
【主权项】：
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