[发明专利]半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202210458931.0 | 申请日： | 2022-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN114864479A | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 蒋兴教;陈政;郭晨浩 | 申请（专利权）人： | 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 顾丹丽 |
| 地址： | 312000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括：提供一衬底，所述衬底上形成有掩膜层；形成贯穿所述掩膜层并延伸至所述衬底内的多个凹槽，所述凹槽包含第一凹槽与第二凹槽，所述第一凹槽用于形成高压器件内的局部氧化层结构，所述第二凹槽用于形成隔离不同器件的浅沟槽隔离结构；沉积绝缘材料，所述绝缘材料填满所述凹槽以形成局部氧化层结构与浅沟槽隔离结构。本发明在形成浅沟槽隔离结构的同时形成高压器件内的局部氧化层结构，简化了工艺流程，同时消除了形成局部氧化层结构时导致的鸟嘴效应，使局部氧化层结构的尺寸缩小，从而缩小了高压器件的尺寸，由此改善器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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